หน้าแรก
เปรียบเทียบ SoC สำหรับมือถือและแท็บเล็ต
Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 7 155H
Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 7 155H
เราได้เปรียบเทียบโปรเซสเซอร์ แล็ปท็อป 2 ตัว: Qualcomm Snapdragon X Plus ที่มีคอร์สรวม 10 คอร์ 3.4GHz และ Intel Core Ultra 7 155H ที่มีคอร์สรวม 16 คอร์ 1.4GHz . คุณจะสามารถเรียนรู้ว่าซีพียูตัวใดที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าในการทดสอบเบนช์มาร์ก ข้อมูลสเปกต์หลัก การบริโภคพลังงาน และอื่นๆ
ความแตกต่างหลัก
Qualcomm Snapdragon X Plus ข้อได้เปรียบ
สเปคแรมที่สูงกว่า (8448 vs 7467)
ความกว้างของแบนด์วิดท์หน่วยความจำที่ใหญ่กว่า (135GB/s vs 120GB/s)
ความถี่ฐานสูงกว่า (3.4GHz vs 1.4GHz)
ขนาดแคช L3 ใหญ่กว่า (42MB vs 24MB)
กระบวนการผลิตที่ทันสมัยมากขึ้น (4nm vs 7nm)
TDP ต่ำกว่า (23W vs 65W)
Intel Core Ultra 7 155H ข้อได้เปรียบ
ประสิทธิภาพการ์ดกราฟิกที่ดีกว่า
เวอร์ชัน PCIe ล่าสุด (5.0 vs 4.0)
คะแนน
การทดสอบประสิทธิภาพ
Cinebench R23 แกนเดียว
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core Ultra 7 155H
+20%
1796
Cinebench R23 หลายแกน
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core Ultra 7 155H
+26%
15052
Geekbench 6 เดี่ยวคอร์
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Intel Core Ultra 7 155H
+3%
2419
Geekbench 6 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
+3%
12973
Intel Core Ultra 7 155H
12505
Cinebench 2024 ซิงเกิลคอร์
Qualcomm Snapdragon X Plus
+9%
109
Intel Core Ultra 7 155H
100
Qualcomm Snapdragon X Plus
+5%
845
Intel Core Ultra 7 155H
802
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus
+35%
360
Intel Core Ultra 7 155H
265
Passmark CPU แกนเดียว
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core Ultra 7 155H
+8%
3490
Passmark CPU หลายแกน
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core Ultra 7 155H
+14%
24927
พารามิเตอร์ทั่วไป
เม.ย. 2567
วันเปิดตัว
ธ.ค. 2566
Qualcomm
ผู้ผลิต
Intel
คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ค
ประเภท
คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ค
ARMv9
ชุดคำสั่ง
x86-64
Snapdragon X
สถาปัตยกรรมหลัก
Meteor Lake
X1P-64-100
หมายเลขโปรเซสเซอร์
155H
Custom
ซ็อกเก็ต
FCBGA-2049
Qualcomm Adreno X1
กราฟิกภายใน
Arc Graphics (8-Cores)
Oryon
รุ่น
Ultra 7 (Meteor Lake)
แพ็กเกจ
4 nm
กระบวนการผลิต
7 nm
23 W
การบริโภคพลังงาน
20-65 W
80 W
พลังงาน Turbo สูงสุด
115 W
อุณหภูมิสูงสุด
110 °C
Samsung TSMC
โรงหล่อ
Intel
mm²
ขนาดของดาย
-
ประสิทธิภาพ CPU
10
แกนประสิทธิภาพ
6
10
สายประสิทธิภาพ
12
3.4 GHz
ความถี่พื้นฐาน (P)
1.4 GHz
3.4 GHz
ความถี่ Turbo (P)
4.8 GHz
-
แกนประสิทธิภาพสูง
10
-
สายประสิทธิภาพสูง
10
-
ความถี่พื้นฐาน (E)
0.9 GHz
-
ความถี่ Turbo (E)
3.8 GHz
10
จำนวนแกนรวม
16
10
จำนวนสายรวม
22
100 MHz
ความถี่บัส
100 MHz
34x
ตัวคูณ
14
-
แคช L1
112 K per core
-
แคช L2
2 MB per core
42 MB
แคช L3
24 MB shared
No
ตัวคูณที่ปลดล็อค
No
1
SMP
1
พารามิเตอร์หน่วยความจำ
LPDDR5X-8448
ประเภทหน่วยความจำ
LPDDR5-7467,LPDDR5x-7467,DDR5-5600
64 GB
ขนาดหน่วยความจำสูงสุด
96 GB
8
ช่องทางหน่วยความจำสูงสุด
2
135 GB/s
แบนด์วิดท์หน่วยความจำสูงสุด
120 GB/s
No
รองรับหน่วยความจำ ECC
No
พารามิเตอร์การ์ดจอ
true
กราฟิกภายใน
true
500 MHz
ความถี่ฐาน GPU
300 MHz
1200 MHz
ความถี่สูงสุด GPU
2250 MHz
1536
ยูนิตเฉดเงา
1024
48
ยูนิตรูปภาพ
64
6
ยูนิตการทำงานแรสเตอร์
32
6
ยูนิตการทำงาน
128
การบริโภคพลังงาน
28
-
ความละเอียดสูงสุด
7680x4320 - 60 Hz
3.8 TFLOPS
ประสิทธิภาพกราฟิก
4.6 TFLOPS
เบ็ดเตล็ด
4.0
รุ่น PCIe
5.0
เลน PCIe
28
