Strona główna
Porównanie SoC dla telefonów i tabletów
Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 7 155H
Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 7 155H
Porównaliśmy dwa laptop procesory: Qualcomm Snapdragon X Plus z 10 rdzeniami 3.4GHz oraz Intel Core Ultra 7 155H z 16 rdzeniami 1.4GHz . Dowiesz się, który procesor wypada lepiej w testach wydajności, kluczowych specyfikacjach, zużyciu energii i innych.
Główne różnice
Qualcomm Snapdragon X Plus Zalety
Wyższa specyfikacja pamięci (8448 vs 7467)
Większa szerokość pasma pamięci (135GB/s vs 120GB/s)
Wyższa częstotliwość bazowa (3.4GHz vs 1.4GHz)
Większy rozmiar pamięci cache L3 (42MB vs 24MB)
Nowoczesniejszy proces produkcji (4nm vs 7nm)
Niższy TDP (23W vs 65W)
Intel Core Ultra 7 155H Zalety
Lepsza wydajność karty graficznej
Nowsza wersja PCIe (5.0 vs 4.0)
Wynik
Benchmark
Cinebench R23 Jedno rdzeniowy
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core Ultra 7 155H
+20%
1796
Cinebench R23 Wielordzeniowy
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core Ultra 7 155H
+26%
15052
Geekbench 6 Jedno rdzeniowy
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Intel Core Ultra 7 155H
+3%
2419
Geekbench 6 Wielordzeniowy
Qualcomm Snapdragon X Plus
+3%
12973
Intel Core Ultra 7 155H
12505
Qualcomm Snapdragon X Plus
+9%
109
Intel Core Ultra 7 155H
100
Qualcomm Snapdragon X Plus
+5%
845
Intel Core Ultra 7 155H
802
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus
+35%
360
Intel Core Ultra 7 155H
265
Passmark CPU Jedno rdzeniowy
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core Ultra 7 155H
+8%
3490
Passmark CPU Wielordzeniowy
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core Ultra 7 155H
+14%
24927
Parametry ogólne
kwi 2024
Data wydania
gru 2023
Qualcomm
Producent
Intel
Laptop
Typ
Laptop
ARMv9
Zestaw instrukcji
x86-64
Snapdragon X
Architektura rdzenia
Meteor Lake
X1P-64-100
Numer procesora
155H
Custom
Gniazdo
FCBGA-2049
Qualcomm Adreno X1
Zintegrowana grafika
Arc Graphics (8-Cores)
Oryon
Generacja
Ultra 7 (Meteor Lake)
Pakiet
4 nm
Proces produkcji
7 nm
23 W
Zużycie energii
20-65 W
80 W
Maksymalna moc Turbo
115 W
Maksymalna temperatura pracy
110 °C
Samsung TSMC
Odlewnia
Intel
mm²
Wielkość rdzenia
-
Wydajność procesora
10
Rdzenie wydajnościowe
6
10
Wątki rdzeni wydajnościowych
12
3.4 GHz
Podstawowa częstotliwość rdzeni wydajnościowych
1.4 GHz
3.4 GHz
Częstotliwość Turbo rdzeni wydajnościowych
4.8 GHz
-
Rdzenie efektywnościowe
10
-
Wątki rdzeni efektywnościowych
10
-
Podstawowa częstotliwość rdzeni efektywnościowych
0.9 GHz
-
Częstotliwość Turbo rdzeni efektywnościowych
3.8 GHz
10
Całkowita liczba rdzeni
16
10
Całkowita liczba wątków
22
100 MHz
Częstotliwość magistrali
100 MHz
34x
Mnożnik
14
-
Pamięć podręczna L1
112 K per core
-
Pamięć podręczna L2
2 MB per core
42 MB
Pamięć podręczna L3
24 MB shared
No
Odblokowany mnożnik
No
1
SMP
1
Parametry pamięci
LPDDR5X-8448
Rodzaje pamięci
LPDDR5-7467,LPDDR5x-7467,DDR5-5600
64 GB
Maksymalny rozmiar pamięci
96 GB
8
Maksymalna liczba kanałów pamięci
2
135 GB/s
Maksymalna przepustowość pamięci
120 GB/s
No
Obsługa pamięci ECC
No
Parametry karty graficznej
true
Zintegrowana grafika
true
500 MHz
Podstawowa częstotliwość GPU
300 MHz
1200 MHz
Maksymalna dynamiczna częstotliwość GPU
2250 MHz
1536
Jednostki cieniowania
1024
48
Jednostki teksturujące
64
6
Jednostki renderujące
32
6
Jednostki wykonawcze
128
Zużycie energii
28
-
Maksymalna rozdzielczość
7680x4320 - 60 Hz
3.8 TFLOPS
Wydajność graficzna
4.6 TFLOPS
Różne
4.0
Wersja PCIe
5.0
Ścieżki PCIe
28
