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Vergleich von Mobil- und Tablet-SoCs
Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 7 155H
Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 7 155H
Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 10 Kerne 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus und 16 Kerne 1.4GHz Intel Core Ultra 7 155H . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.
Hauptunterschiede
Qualcomm Snapdragon X Plus Vorteile
Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 7467
Größere Speicherbandbreite (135GB/s gegenüber 120GB/s)
Höhere Basistaktung (3.4GHz gegenüber 1.4GHz)
Größerer L3-Cache (42MB gegenüber 24MB)
Modernere Fertigungsprozesse (4nm gegenüber 7nm)
Niedriger TDP (23W gegenüber 65W)
Intel Core Ultra 7 155H Vorteile
Höhere Grafikleistung
Neuere PCIe-Version (5.0 gegenüber 4.0)
Bewertung
Leistungstest
Cinebench R23 Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core Ultra 7 155H
+20%
1796
Cinebench R23 Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core Ultra 7 155H
+26%
15052
Geekbench 6 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Intel Core Ultra 7 155H
+3%
2419
Geekbench 6 Multi-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
+3%
12973
Intel Core Ultra 7 155H
12505
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
+9%
109
Intel Core Ultra 7 155H
100
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
+5%
845
Intel Core Ultra 7 155H
802
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus
+35%
360
Intel Core Ultra 7 155H
265
Passmark CPU Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core Ultra 7 155H
+8%
3490
Passmark CPU Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core Ultra 7 155H
+14%
24927
Grundlegende Parameter
Apr 2024
Veröffentlichungsdatum
Dez 2023
Qualcomm
Hersteller
Intel
Notebook
Typ
Notebook
ARMv9
Befehlssatz
x86-64
Snapdragon X
Kernarchitektur
Meteor Lake
X1P-64-100
Prozessornummer
155H
Custom
Sockel
FCBGA-2049
Qualcomm Adreno X1
Integrierte GPU
Arc Graphics (8-Cores)
Oryon
Generation
Ultra 7 (Meteor Lake)
Package
4 nm
Herstellungsprozess
7 nm
23 W
Thermal Design Power (TDP)
20-65 W
80 W
Maximale Boost-TDP
115 W
Maximale Betriebstemperatur
110 °C
Samsung TSMC
Schmelzerei
Intel
mm²
Die-Größe
-
CPU-Leistung
10
Performance-Kerne
6
10
Performance-Kern-Threads
12
3.4 GHz
Performance-Kern-Basistaktung
1.4 GHz
3.4 GHz
Performance-Kern-Turbotaktung
4.8 GHz
-
Energieeffiziente Kerne
10
-
Energieeffiziente Kerne Threads
10
-
Energieeffiziente Basistaktfrequenz
0.9 GHz
-
Energieeffiziente Turbo-Boost-Taktfrequenz
3.8 GHz
10
Gesamtzahl der Kerne
16
10
Gesamtzahl der Threads
22
100 MHz
Bus-Frequenz
100 MHz
34x
Multiplikator
14
-
L1-Cache
112 K per core
-
L2-Cache
2 MB per core
42 MB
L3-Cache
24 MB shared
No
Freigeschalteter Multiplikator
No
1
SMP
1
Speicherparameter
LPDDR5X-8448
Speichertypen
LPDDR5-7467,LPDDR5x-7467,DDR5-5600
64 GB
Maximale Speichergröße
96 GB
8
Maximale Anzahl an Speicherkanälen
2
135 GB/s
Maximale Speicherbandbreite
120 GB/s
No
ECC-Unterstützung
No
GPU-Parameter
true
Integrierte Grafik
true
500 MHz
GPU-Basistaktung
300 MHz
1200 MHz
Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU
2250 MHz
1536
Shader-Einheiten
1024
48
Textur-Mapping-Einheiten
64
6
Raster Operations Pipelines
32
6
Ausführungseinheiten
128
Leistungsaufnahme
28
-
Maximale Auflösung
7680x4320 - 60 Hz
3.8 TFLOPS
GPU-Leistung
4.6 TFLOPS
Sonstiges
4.0
PCIe-Version
5.0
PCIe-Lanes
28
