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HiSilicon Kirin 9000E 5G

HiSilicon Kirin 9000E 5G
这是一款使用 制造的处理器，采用 0 纳米工艺制造，于 0001 年 1月 1 日 宣布发布。它拥有 核心，运行频率为 0，热设计功耗为 0 瓦特，

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Geekbench 6 單核
Qualcomm Snapdragon 870
Qualcomm Snapdragon 870 8C @ 3200 MHz
1151
MediaTek Dimensity 8100
MediaTek Dimensity 8100 8C @ 2850 MHz
1145
Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3
Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 8C @ 2630 MHz
1139
HiSilicon Kirin 9000E 5G
HiSilicon Kirin 9000E 5G C @
1137
MediaTek Dimensity 7200 Ultra
MediaTek Dimensity 7200 Ultra 8C @ 2800 MHz
1134
Qualcomm Snapdragon 865
Qualcomm Snapdragon 865 8C @ 2840 MHz
1128
Qualcomm Snapdragon 782G
Qualcomm Snapdragon 782G 8C @ 2700 MHz
1127
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon 865
Qualcomm Snapdragon 865 8C @ 2840 MHz
3277
HiSilicon Kirin 9000E
HiSilicon Kirin 9000E 8C @ 3130 MHz
3255
MediaTek Dimensity 8050
MediaTek Dimensity 8050 8C @ 3000 MHz
3242
HiSilicon Kirin 9000E 5G
HiSilicon Kirin 9000E 5G C @
3237
Google Tensor
Google Tensor 8C @ 2800 MHz
3234
MediaTek Dimensity 1200
MediaTek Dimensity 1200 8C @ 3000 MHz
3198
HiSilicon Kirin 990 4G
HiSilicon Kirin 990 4G 8C @ 2860 MHz
3179

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