首頁 CPU對比 Intel Core i7 13850HX vs Qualcomm Snapdragon X Elite

Intel Core i7 13850HX vs Qualcomm Snapdragon X Elite

我們比較了兩個筆記型電腦版CPU:20核 2.1GHz Intel Core i7 13850HX 與 12核 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite 。您將了解兩者在基準測試、主要規格、功耗等資訊中哪個處理器具有更好的性能。

主要差異

Intel Core i7 13850HX 的優勢
更新的PCI Express 版本 (5.0 vs 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Elite 的優勢
發布時間晚 9 個月
更强的顯示卡效能
更高規格的記憶體 (LPDDR5x-8448 vs DDR5-5600)
更大的最大記憶體頻寬 (135GB/s vs 89.6GB/s)
更高的效能核心基礎頻率 (3.8GHz vs 2.1GHz)
更大的三級緩存 (42MB vs 30MB)
更低的TDP功耗 (23W vs 45W)

評分

基準測試

Cinebench R23 單核
Intel Core i7 13850HX +22%
2049
Qualcomm Snapdragon X Elite
1673
Cinebench R23 多核
Intel Core i7 13850HX +79%
26183
Qualcomm Snapdragon X Elite
14548
Geekbench 6 單核
Intel Core i7 13850HX
2033
Qualcomm Snapdragon X Elite +46%
2980
Geekbench 6 多核
Intel Core i7 13850HX
8807
Qualcomm Snapdragon X Elite +72%
15226
Cinebench 2024 Single Core
Intel Core i7 13850HX
113
Qualcomm Snapdragon X Elite +17%
133
Cinebench 2024 多核
Intel Core i7 13850HX +3%
1265
Qualcomm Snapdragon X Elite
1220
Blender
Intel Core i7 13850HX
303
Qualcomm Snapdragon X Elite +55%
470
VS

基本參數

2023 1月
發行日期
2023 10月
Intel
廠商
Qualcomm
筆記型電腦
類型
筆記型電腦
x86-64
指令集
Arm-64
Raptor Lake
內核架構
Oryon
i7-13850HX
處理器編號
Snapdragon X Elite
BGA-1964
插座
UHD Graphics (32 EU)
核心顯示卡
Adreno
-
世代
Oryon

封裝

10 nm
製程
4 nm
BGA-1964
插槽
45 W
功耗
23 W
157 W
最大睿頻功耗
80 W
100°C
峰值工作溫度
-
鑄造廠
Samsung TSMC
-
晶圓尺寸
mm²
-
封裝

CPU效能

8
效能核心
12
16
效能核心線程
12
2.1 GHz
效能核心基礎頻率
3.8 GHz
5.3 GHz
效能核心睿頻
4.3 GHz
12
能效核心
-
12
能效核心線程
-
1.5 GHz
能效核心基礎頻率
-
3.8 GHz
能效核心睿頻
-
20
總核心數
12
28
總線程數
12
100 MHz
匯流排頻率
100 MHz
21x
倍頻
80 K per core
一級緩存
-
2 MB per core
二級緩存
-
30 MB per core
三級緩存
42 MB
非鎖頻
-
SMP
1

記憶體參數

DDR5-5600, DDR4-3200
記憶體類型
LPDDR5x-8448
128 GB
最大記憶體大小
64 GB
2
最大記憶體通道數
2
89.6 GB/s
最大記憶體頻寬
135 GB/s
支援 ECC 記憶體

顯示卡參數

核心顯示晶片
300 MHz
顯示卡基本頻率
1600 MHz
顯示卡最大動態頻率
256
著色器數量
16
紋理單元
8
光柵處理單元
32
執行單元
45 W
功耗
0.74 TFLOPS
顯示卡效能
4.6 TFLOPS

其他

5.0
PCIe版本
4.0
20
PCIe通道數

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