Intel Iris Xe MAX Graphics vs NVIDIA NVS 5100M
Chúng tôi so sánh hai GPU MNền tảng di động: 4GB VRAM Iris Xe MAX Graphics và 1024MB VRAM NVS 5100M để xem GPU nào có hiệu suất tốt hơn trong các thông số kỹ thuật chính, kiểm tra đánh giá, tiêu thụ điện năng, v.v.
Sự khác biệt chính
Intel Iris Xe MAX Graphics Ưu điểm của
Phát hành trễ 10nămvà 9tháng
Tốc độ tăng cường1650MHz
VRAM nhiều hơn (4GB vs 1024GB)
Băng thông VRAM lớn hơn (68.26GB/s vs 25.60GB/s)
720 lõi xử lý bổ sung
Công suất TDP thấp hơn (25W vs 35W)
Điểm số
Đánh giá
FP32 (số thực)
Iris Xe MAX Graphics
+2084%
2.534 TFLOPS
NVS 5100M
0.116 TFLOPS
Card đồ họa
Tháng 10 2020
Ngày phát hành
Tháng 1 2010
HD Graphics-M
Thế hệ
NVS Mobile
Di động
Loại
Di động
PCIe 4.0 x8
Giao diện bus
MXM-A (3.0)
Tốc độ đồng hồ
300 MHz
Tốc độ cơ bản
-
1650 MHz
Tốc độ tăng cường
-
2133 MHz
Tốc độ bộ nhớ
800 MHz
Bộ nhớ
4GB
Dung lượng bộ nhớ
1024MB
LPDDR4X
Loại bộ nhớ
GDDR3
128bit
Bus bộ nhớ
128bit
68.26GB/s
Băng thông
25.60GB/s
Cấu hình hiển thị
-
-
-
-
Số SM
6
768
Đơn vị shading
48
48
TMUs
16
24
ROPs
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1024 KB
Bộ nhớ cache L2
64 KB
16 MB
Bộ nhớ cache L3
-
Hiệu suất lý thuyết
39.60 GPixel/s
Tốc độ pixel
4.400 GPixel/s
79.20 GTexel/s
Tốc độ texture
8.800 GTexel/s
5.069 TFLOPS
FP16 (nửa)
-
2.534 TFLOPS
FP32 (float)
116.2 GFLOPS
633.6 GFLOPS
FP64 (double)
-
Thiết kế bo mạch chủ
25W
Công suất tiêu thụ
35W
-
-
-
No outputs
Cổng kết nối
No outputs
-
-
-
Bộ xử lý đồ họa
DG1
Tên GPU
GT216
-
Phiên bản GPU
N10P-NS
Generation 12.1
Kiến trúc
Tesla 2.0
Intel
Hãng sản xuất
TSMC
10 nm
Kích thước quy trình
40 nm
Không xác định
Transistors
4.86 tỷ
95 mm²
Kích thước die
100 mm²
Tính năng đồ họa
12 (12_1)
DirectX
11.1 (10_1)
4.6
OpenGL
3.3
3.0
OpenCL
1.1
1.3
Vulkan
N/A
-
CUDA
1.2
6.4
Mô hình shader
4.1
