Strona główna Porównanie Intel Core i9 13900H vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i9 13900H vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Porównaliśmy dwa laptop procesory: Intel Core i9 13900H z 14 rdzeniami 2.6GHz oraz Qualcomm Snapdragon X Plus z 10 rdzeniami 3.4GHz . Dowiesz się, który procesor wypada lepiej w testach wydajności, kluczowych specyfikacjach, zużyciu energii i innych.

Główne różnice

Intel Core i9 13900H Zalety
Nowsza wersja PCIe (5.0 vs 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus Zalety
Wydano 1 lat i 3 miesięcy opóźnienia
Lepsza wydajność karty graficznej
Wyższa specyfikacja pamięci (8448 vs 6400)
Większa szerokość pasma pamięci (135GB/s vs 89.6GB/s)
Wyższa częstotliwość bazowa (3.4GHz vs 2.6GHz)
Większy rozmiar pamięci cache L3 (42MB vs 24MB)
Nowoczesniejszy proces produkcji (4nm vs 10nm)
Niższy TDP (23W vs 45W)

Wynik

Wydajność

Cinebench R23 Jedno rdzeniowy
Intel Core i9 13900H +33%
1991
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 Wielordzeniowy
Intel Core i9 13900H +53%
18260
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 Jedno rdzeniowy
Intel Core i9 13900H +13%
2674
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 Wielordzeniowy
Intel Core i9 13900H +13%
14727
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Intel Core i9 13900H +5%
115
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Intel Core i9 13900H +12%
951
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Blender
Intel Core i9 13900H
226
Qualcomm Snapdragon X Plus +59%
360
Passmark CPU Jedno rdzeniowy
Intel Core i9 13900H +20%
3866
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU Wielordzeniowy
Intel Core i9 13900H +35%
29283
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685

Parametry ogólne

sty 2023
Data wydania
kwi 2024
Intel
Producent
Qualcomm
Laptop
Typ
Laptop
x86-64
Zestaw instrukcji
ARMv9
Raptor Lake
Architektura rdzenia
Snapdragon X
i9-13900H
Numer procesora
X1P-64-100
BGA-1744
Gniazdo
Custom
Iris Xe Graphics (96 EU)
Zintegrowana grafika
Qualcomm Adreno X1
-
Generacja
Oryon

Pakiet

10 nm
Proces produkcji
4 nm
35-45 W
Zużycie energii
23 W
115 W
Maksymalna moc Turbo
80 W
100°C
Maksymalna temperatura pracy
-
Odlewnia
Samsung TSMC
-
Wielkość rdzenia
mm²

Wydajność procesora

6
Rdzenie wydajnościowe
10
12
Wątki rdzeni wydajnościowych
10
2.6 GHz
Podstawowa częstotliwość rdzeni wydajnościowych
3.4 GHz
5.4 GHz
Częstotliwość Turbo rdzeni wydajnościowych
3.4 GHz
8
Rdzenie efektywnościowe
-
8
Wątki rdzeni efektywnościowych
-
1.9 GHz
Podstawowa częstotliwość rdzeni efektywnościowych
-
4.1 GHz
Częstotliwość Turbo rdzeni efektywnościowych
-
14
Całkowita liczba rdzeni
10
20
Całkowita liczba wątków
10
100 MHz
Częstotliwość magistrali
100 MHz
26x
Mnożnik
34x
80 K per core
Pamięć podręczna L1
-
2 MB per core
Pamięć podręczna L2
-
24 MB shared
Pamięć podręczna L3
42 MB
No
Odblokowany mnożnik
No
-
SMP
1

Parametry pamięci

DDR5-5200, DDR4-3200, LPDDR5-6400, LPDDR5x-6400, LPDDR4x-4267
Rodzaje pamięci
LPDDR5X-8448
96 GB
Maksymalny rozmiar pamięci
64 GB
2
Maksymalna liczba kanałów pamięci
8
89.6 GB/s
Maksymalna przepustowość pamięci
135 GB/s
No
Obsługa pamięci ECC
No

Parametry karty graficznej

true
Zintegrowana grafika
true
300 MHz
Podstawowa częstotliwość GPU
500 MHz
1500 MHz
Maksymalna dynamiczna częstotliwość GPU
1200 MHz
768
Jednostki cieniowania
1536
48
Jednostki teksturujące
48
24
Jednostki renderujące
6
96
Jednostki wykonawcze
6
15 W
Zużycie energii
1.69 TFLOPS
Wydajność graficzna
3.8 TFLOPS

Różne

5.0
Wersja PCIe
4.0
28
Ścieżki PCIe
© 2025 - TopCPU.net