บ้าน เปรียบเทียบ GPU NVIDIA RTX A4000 Mobile vs NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6

NVIDIA RTX A4000 Mobile vs NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6

เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ ตลาดโปรแอสชันแนล 8GB VRAM RTX A4000 Mobile และ 4GB VRAM Quadro T1000 Mobile GDDR6 เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ

ความแตกต่างหลัก

NVIDIA RTX A4000 Mobile ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 10 เดือน
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 2% (1680MHz vs 1650MHz)
VRAM เพิ่มเติม (8GB vs 4GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (384.0GB/s vs 192.0GB/s)
4224 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 ประโยชน์ของ
TDP ต่ำกว่า (50W vs 115W)

คะแนน

มาตรฐาน

FP32 (float)
RTX A4000 Mobile +481%
17.2 TFLOPS
Quadro T1000 Mobile GDDR6
2.957 TFLOPS
3DMark Time Spy
RTX A4000 Mobile +227%
9603
Quadro T1000 Mobile GDDR6
2934
3DMark Time Spy Extreme
RTX A4000 Mobile +229%
4742
Quadro T1000 Mobile GDDR6
1439
Blender
RTX A4000 Mobile +631%
2825
Quadro T1000 Mobile GDDR6
386
OctaneBench
RTX A4000 Mobile +322%
300
Quadro T1000 Mobile GDDR6
71

การ์ดกราฟิก

เม.ย. 2564
วันที่เปิดตัว
มิ.ย. 2563
Ampere-MW
รุ่น
Quadro Mobile
อาชีพ
ชนิด
อาชีพ
PCIe 4.0 x16
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 3.0 x16

ความเร็วนาฬิกา

1140 MHz
นาฬิกาฐาน
1395 MHz
1680 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1650 MHz
1500 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1500 MHz

หน่วยความจำ

8GB
ขนาดหน่วยความจำ
4GB
GDDR6
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
256bit
บัสหน่วยความจำ
128bit
384.0GB/s
แบนด์วิดท์
192.0GB/s

การตั้งค่าการเรนเดอร์

-
-
-
40
จำนวน SM
14
5120
หน่วยการตีสี
896
160
TMUs
56
80
ROPs
32
160
คอร์เทนเซอร์
-
40
คอร์ RT
-
128 KB (per SM)
แคช L1
64 KB (per SM)
4 MB
แคช L2
1024 KB
-
-
-

ประสิทธิภาพทฤษฎี

134.4 GPixel/s
อัตราพิกเซล
52.80 GPixel/s
268.8 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
92.40 GTexel/s
17.20 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
5.914 TFLOPS
17.20 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
2.957 TFLOPS
268.8 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
92.40 GFLOPS

การออกแบบบอร์ด

115W
TDP
50W
-
-
-
Portable Device Dependent
ออก
No outputs
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
None

ตัวประมวลผลกราฟิก

GA104
ชื่อ GPU
TU117B
-
รุ่น GPU
N19P-Q1-A1
Ampere
สถาปัตยกรรม
Turing
Samsung
โรงหล่อ
TSMC
8 nm
ขนาดกระบวนการ
12 nm
174 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
47 ล้าน
392 mm²
ขนาด Die
200 mm²

คุณสมบัติกราฟิก

12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 (12_1)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
8.6
CUDA
7.5
6.8
โมเดลเฉด
6.6
© 2025 - TopCPU.net