AMD Radeon RX 7900 XT vs NVIDIA GeForce RTX 3080 Ti 20 GB
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มเดสก์ท็อป 20GB VRAM Radeon RX 7900 XT และ 20GB VRAM GeForce RTX 3080 Ti 20 GB เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
AMD Radeon RX 7900 XT ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 10 เดือน
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 44% (2394MHz vs 1665MHz)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (800.0GB/s vs 760.3GB/s)
TDP ต่ำกว่า (300W vs 350W)
NVIDIA GeForce RTX 3080 Ti 20 GB ประโยชน์ของ
4864 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
คะแนน
มาตรฐาน
FP32 (float)
Radeon RX 7900 XT
+50%
51.48 TFLOPS
GeForce RTX 3080 Ti 20 GB
34.1 TFLOPS
3DMark Time Spy
Radeon RX 7900 XT
+39%
26829
GeForce RTX 3080 Ti 20 GB
19216
3DMark Time Spy Extreme
Radeon RX 7900 XT
+35%
13130
GeForce RTX 3080 Ti 20 GB
9720
3DMark Speed Way
Radeon RX 7900 XT
+8%
5364
GeForce RTX 3080 Ti 20 GB
4926
Blender
Radeon RX 7900 XT
3905
GeForce RTX 3080 Ti 20 GB
+52%
5956
การ์ดกราฟิก
พ.ย. 2565
วันที่เปิดตัว
ม.ค. 2565
Navi III
รุ่น
GeForce 30
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
ชนิด
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
PCIe 4.0 x16
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 4.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
1387 MHz
นาฬิกาฐาน
1335 MHz
2394 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1665 MHz
2500 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1188 MHz
หน่วยความจำ
20GB
ขนาดหน่วยความจำ
20GB
GDDR6
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6X
320bit
บัสหน่วยความจำ
320bit
800.0GB/s
แบนด์วิดท์
760.3GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
84
หน่วยคำนวณ
-
-
จำนวน SM
80
5376
หน่วยการตีสี
10240
336
TMUs
320
192
ROPs
112
-
คอร์เทนเซอร์
320
84
คอร์ RT
80
256 KB per Array
แคช L1
128 KB (per SM)
6 MB
แคช L2
6 MB
80 MB
แคช L3
-
ประสิทธิภาพทฤษฎี
459.6 GPixel/s
อัตราพิกเซล
186.5 GPixel/s
804.4 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
532.8 GTexel/s
103.0 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
34.10 TFLOPS
51.48 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
34.10 TFLOPS
1.609 TFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
532.8 GFLOPS
การออกแบบบอร์ด
300W
TDP
350W
700 W
PSU ที่แนะนำ
750 W
1x HDMI 2.1a
2x DisplayPort 2.1
1x USB Type-C
ออก
1x HDMI 2.1
3x DisplayPort 1.4a
2x 8-pin
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
1x 12-pin
ตัวประมวลผลกราฟิก
Navi 31
ชื่อ GPU
GA102
Navi 31 XT
(215-145000156)
รุ่น GPU
GA102-225-A1
RDNA 3.0
สถาปัตยกรรม
Ampere
TSMC
โรงหล่อ
Samsung
5 nm
ขนาดกระบวนการ
8 nm
577 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
283 ล้าน
529 mm²
ขนาด Die
628 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
2.2
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
-
CUDA
8.6
6.7
โมเดลเฉด
6.6
