Intel Iris Xe MAX Graphics vs NVIDIA GeForce GTS 260M
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มมือถือ 4GB VRAM Iris Xe MAX Graphics และ 1024MB VRAM GeForce GTS 260M เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
Intel Iris Xe MAX Graphics ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 11 ปี และ 4 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน1650MHz
VRAM เพิ่มเติม (4GB vs 1024GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (68.26GB/s vs 57.60GB/s)
672 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
TDP ต่ำกว่า (25W vs 38W)
คะแนน
มาตรฐาน
FP32 (float)
Iris Xe MAX Graphics
+859%
2.534 TFLOPS
GeForce GTS 260M
0.264 TFLOPS
การ์ดกราฟิก
ต.ค. 2563
วันที่เปิดตัว
มิ.ย. 2552
HD Graphics-M
รุ่น
GeForce 200M
อุปกรณ์เคลื่อนที่
ชนิด
อุปกรณ์เคลื่อนที่
PCIe 4.0 x8
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 2.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
300 MHz
นาฬิกาฐาน
-
1650 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
-
2133 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
900 MHz
หน่วยความจำ
4GB
ขนาดหน่วยความจำ
1024MB
LPDDR4X
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR5
128bit
บัสหน่วยความจำ
128bit
68.26GB/s
แบนด์วิดท์
57.60GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
-
-
-
-
จำนวน SM
12
768
หน่วยการตีสี
96
48
TMUs
32
24
ROPs
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1024 KB
แคช L2
64 KB
16 MB
แคช L3
-
ประสิทธิภาพทฤษฎี
39.60 GPixel/s
อัตราพิกเซล
4.400 GPixel/s
79.20 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
17.60 GTexel/s
5.069 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
-
2.534 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
264.0 GFLOPS
633.6 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
-
การออกแบบบอร์ด
25W
TDP
38W
-
-
-
No outputs
ออก
No outputs
-
-
-
ตัวประมวลผลกราฟิก
DG1
ชื่อ GPU
GT215
-
รุ่น GPU
N10E-GS
Generation 12.1
สถาปัตยกรรม
Tesla 2.0
Intel
โรงหล่อ
TSMC
10 nm
ขนาดกระบวนการ
40 nm
ไม่ทราบ
ทรานซิสเตอร์
7.27 ล้าน
95 mm²
ขนาด Die
144 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 (12_1)
DirectX
11.1 (10_1)
4.6
OpenGL
3.3
3.0
OpenCL
1.1
1.3
Vulkan
N/A
-
CUDA
1.2
6.4
โมเดลเฉด
4.1
