NVIDIA GeForce RTX 2050 Mobile vs NVIDIA GeForce GTX 1660 Ti Max Q
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มมือถือ 4GB VRAM GeForce RTX 2050 Mobile และ 6GB VRAM GeForce GTX 1660 Ti Max Q เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
NVIDIA GeForce RTX 2050 Mobile ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 2 ปี และ 8 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 11% (1477MHz vs 1335MHz)
512 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
NVIDIA GeForce GTX 1660 Ti Max Q ประโยชน์ของ
VRAM เพิ่มเติม (6GB vs 4GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (288.0GB/s vs 112.0GB/s)
คะแนน
มาตรฐาน
FP32 (float)
GeForce RTX 2050 Mobile
+47%
6.05 TFLOPS
GeForce GTX 1660 Ti Max Q
4.101 TFLOPS
3DMark Time Spy
GeForce RTX 2050 Mobile
3904
GeForce GTX 1660 Ti Max Q
+27%
4973
3DMark Time Spy Extreme
GeForce RTX 2050 Mobile
1735
GeForce GTX 1660 Ti Max Q
+32%
2304
Blender
GeForce RTX 2050 Mobile
849
GeForce GTX 1660 Ti Max Q
+2%
870
OctaneBench
GeForce RTX 2050 Mobile
64
GeForce GTX 1660 Ti Max Q
+73%
111
การ์ดกราฟิก
ธ.ค. 2564
วันที่เปิดตัว
เม.ย. 2562
GeForce 20 Mobile
รุ่น
GeForce 16 Mobile
อุปกรณ์เคลื่อนที่
ชนิด
อุปกรณ์เคลื่อนที่
PCIe 3.0 x8
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 3.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
1185 MHz
นาฬิกาฐาน
1140 MHz
1477 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1335 MHz
1750 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1500 MHz
หน่วยความจำ
4GB
ขนาดหน่วยความจำ
6GB
GDDR6
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
64bit
บัสหน่วยความจำ
192bit
112.0GB/s
แบนด์วิดท์
288.0GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
-
-
-
16
จำนวน SM
24
2048
หน่วยการตีสี
1536
64
TMUs
96
32
ROPs
48
64
คอร์เทนเซอร์
-
32
คอร์ RT
-
64 KB (per SM)
แคช L1
64 KB (per SM)
2 MB
แคช L2
1536 KB
-
-
-
ประสิทธิภาพทฤษฎี
47.26 GPixel/s
อัตราพิกเซล
64.08 GPixel/s
94.53 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
128.2 GTexel/s
12.10 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
8.202 TFLOPS
6.050 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
4.101 TFLOPS
189.1 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
128.2 GFLOPS
การออกแบบบอร์ด
45W
TDP
ไม่ทราบ
-
-
-
1x DVI
1x HDMI 2.1
2x DisplayPort 1.4a
ออก
Portable Device Dependent
1x 6-pin
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
None
ตัวประมวลผลกราฟิก
GA107
ชื่อ GPU
TU116
-
-
-
Ampere
สถาปัตยกรรม
Turing
Samsung
โรงหล่อ
TSMC
8 nm
ขนาดกระบวนการ
12 nm
ไม่ทราบ
ทรานซิสเตอร์
66 ล้าน
ไม่ทราบ
ขนาด Die
284 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 (12_1)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
8.6
CUDA
7.5
6.6
โมเดลเฉด
6.7
