NVIDIA GeForce GTX 1050 Ti vs Intel Arc A770
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มเดสก์ท็อป 4GB VRAM GeForce GTX 1050 Ti และ 16GB VRAM Arc A770 เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
NVIDIA GeForce GTX 1050 Ti ประโยชน์ของ
TDP ต่ำกว่า (75W vs 225W)
Intel Arc A770 ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 6 ปี หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 72% (2400MHz vs 1392MHz)
VRAM เพิ่มเติม (16GB vs 4GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (512.0GB/s vs 112.1GB/s)
3328 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
คะแนน
มาตรฐาน
FP32 (float)
GeForce GTX 1050 Ti
2.138 TFLOPS
Arc A770
+819%
19.66 TFLOPS
3DMark Time Spy
GeForce GTX 1050 Ti
2353
Arc A770
+476%
13560
3DMark Time Spy Extreme
GeForce GTX 1050 Ti
1093
Arc A770
+496%
6525
Shadow of the Tomb Raider 2160p
GeForce GTX 1050 Ti
11
Arc A770
+309%
45
เงาแห่งหีบสมบัติ Tomb Raider 1440p
GeForce GTX 1050 Ti
20
Arc A770
+300%
80
เงาแห่งหีบสมบัติ Tomb Raider 1080p
GeForce GTX 1050 Ti
28
Arc A770
+275%
105
การ์ดกราฟิก
ต.ค. 2559
วันที่เปิดตัว
ต.ค. 2565
GeForce 10
รุ่น
Alchemist(Arc 7)
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
ชนิด
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
PCIe 3.0 x16
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 4.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
1291 MHz
นาฬิกาฐาน
2100 MHz
1392 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
2400 MHz
1752 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
2000 MHz
หน่วยความจำ
4GB
ขนาดหน่วยความจำ
16GB
GDDR5
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
128bit
บัสหน่วยความจำ
256bit
112.1GB/s
แบนด์วิดท์
512.0GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
-
-
-
6
จำนวน SM
-
768
หน่วยการตีสี
4096
48
TMUs
256
32
ROPs
128
-
คอร์เทนเซอร์
512
-
คอร์ RT
32
48 KB (per SM)
แคช L1
-
1024 KB
แคช L2
16 MB
-
-
-
ประสิทธิภาพทฤษฎี
44.54 GPixel/s
อัตราพิกเซล
307.2 GPixel/s
66.82 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
614.4 GTexel/s
33.41 GFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
39.32 TFLOPS
2.138 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
19.66 TFLOPS
66.82 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
2.458 TFLOPS
การออกแบบบอร์ด
75W
TDP
225W
250 W
PSU ที่แนะนำ
550 W
1x DVI
1x HDMI 2.0
1x DisplayPort 1.4a
ออก
1x HDMI 2.13x DisplayPort 2.0
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
1x 6-pin + 1x 8-pin
ตัวประมวลผลกราฟิก
GP107
ชื่อ GPU
DG2-512
GP107-400-A1
รุ่น GPU
ACM-G10
Pascal
สถาปัตยกรรม
Generation 12.7
Samsung
โรงหล่อ
TSMC
14 nm
ขนาดกระบวนการ
6 nm
33 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
217 ล้าน
132 mm²
ขนาด Die
406 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 (12_1)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
6.1
CUDA
-
6.4
โมเดลเฉด
6.6
