Quadro NVS 130M vs Quadro T1000 Mobile GDDR6
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ ตลาดโปรแอสชันแนล 256MB VRAM Quadro NVS 130M และ 4GB VRAM Quadro T1000 Mobile GDDR6 เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
Quadro NVS 130M ข้อดีของ
TDP ต่ำกว่า (10W vs 50W)
Quadro T1000 Mobile GDDR6 ข้อดีของ
เผยแพร่ล่าช้า 13 ปี และ 1 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน1650MHz
VRAM เพิ่มเติม (4GB vs 256GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (192.0GB/s vs 11.20GB/s)
888 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
คะแนน
เบนช์มาร์ค
FP32 (float)
Quadro NVS 130M
13
Quadro T1000 Mobile GDDR6
+22646%
2957
การ์ดกราฟิก
พ.ค. 2550
วันที่เปิดตัว
มิ.ย. 2563
NVS Mobile
รุ่น
Quadro Mobile
อาชีพ
ชนิด
อาชีพ
PCIe 2.0 x16
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 3.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
-
นาฬิกาฐาน
1395 MHz
-
นาฬิกาเพิ่มพูน
1650 MHz
700 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1500 MHz
หน่วยความจำ
256MB
ขนาดหน่วยความจำ
4GB
DDR2
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
64bit
บัสหน่วยความจำ
128bit
11.20GB/s
แบนด์วิดท์
192.0GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
1
จำนวน SM
14
8
หน่วยการตีสี
896
8
TMUs
56
4
ROPs
32
-
แคช L1
64 KB (per SM)
16 KB
แคช L2
1024 KB
ประสิทธิภาพทฤษฎี
1.600 GPixel/s
อัตราพิกเซล
52.80 GPixel/s
3.200 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
92.40 GTexel/s
-
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
5.914 TFLOPS
12.80 GFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
2.957 TFLOPS
-
FP64 (ทศนิยมคู่)
92.40 GFLOPS
การออกแบบบอร์ด
10W
TDP
50W
No outputs
ออก
No outputs
-
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
None
ตัวประมวลผลกราฟิก
G86
ชื่อ GPU
TU117B
G86-613-A2
รุ่น GPU
N19P-Q1-A1
Tesla
สถาปัตยกรรม
Turing
TSMC
โรงหล่อ
TSMC
80 nm
ขนาดกระบวนการ
12 nm
2.1 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
47 ล้าน
127 mm²
ขนาด Die
200 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
11.1 (10_0)
DirectX
12 (12_1)
3.3
OpenGL
4.6
1.1
OpenCL
3.0
N/A
Vulkan
1.3
1.1
CUDA
7.5
4.0
โมเดลเฉด
6.6
