Intel Iris Xe MAX Graphics vs NVIDIA NVS 3100M
Porównaliśmy dwie Platforma mobilna karty graficzne: 4GB VRAM Iris Xe MAX Graphics i 512MB VRAM NVS 3100M aby sprawdzić, która karta graficzna ma lepszą wydajność w kluczowych specyfikacjach, testach wydajności, zużyciu energii itp.
Główne różnice
Intel Iris Xe MAX Graphics Zalety
Wydano 10 lat i 9 miesięcy po terminie
Zegar turbo1650MHz
Więcej VRAM (4GB vs 512GB)
Większa przepustowość VRAM (68.26GB/s vs 12.64GB/s)
752 dodatkowe rdzenie renderujące
NVIDIA NVS 3100M Zalety
Niższe TDP (14W vs 25W)
Wynik
Wydajność
FP32 (float)
Iris Xe MAX Graphics
+5291%
2.534 TFLOPS
NVS 3100M
0.047 TFLOPS
Karta graficzna
paź 2020
Data wydania
sty 2010
HD Graphics-M
Generacja
NVS Mobile
Urządzenie mobilne
Typ
Urządzenie mobilne
PCIe 4.0 x8
Interfejs magistrali
PCIe 2.0 x16
Taktowanie zegara
300 MHz
Zegar podstawowy
-
1650 MHz
Zegar turbo
-
2133 MHz
Zegar pamięci
790 MHz
Pamięć
4GB
Rozmiar pamięci
512MB
LPDDR4X
Typ pamięci
GDDR3
128bit
Magistrala pamięci
64bit
68.26GB/s
Przepustowość
12.64GB/s
Konfiguracja renderowania
-
-
-
-
Liczba SM
2
768
Jednostki cieniowania
16
48
TMUs
8
24
ROPs
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1024 KB
Pamięć podręczna L2
32 KB
16 MB
Pamięć podręczna L3
-
Wydajność teoretyczna
39.60 GPixel/s
Przepustowość pikseli
2.424 GPixel/s
79.20 GTexel/s
Przepustowość tekstur
4.848 GTexel/s
5.069 TFLOPS
FP16 (połowa)
-
2.534 TFLOPS
FP32 (float)
46.98 GFLOPS
633.6 GFLOPS
FP64 (double)
-
Projekt płyty
25W
TDP
14W
-
-
-
No outputs
Wyjścia
No outputs
-
-
-
Procesor graficzny
DG1
Nazwa GPU
GT218
-
Wariant GPU
N10M-NS
Generation 12.1
Architektura
Tesla 2.0
Intel
Fabryka
TSMC
10 nm
Rozmiar procesu
40 nm
Nieznane
Transistory
0.26 miliard
95 mm²
Rozmiar układu
57 mm²
Funkcje graficzne
12 (12_1)
DirectX
11.1 (10_1)
4.6
OpenGL
3.3
3.0
OpenCL
1.1
1.3
Vulkan
N/A
-
CUDA
1.2
6.4
Model cieniowania
4.1
