Accueil Comparaison Intel Processor N95 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Processor N95 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Nous avons comparé deux CPU ordinateur portable : Intel Processor N95 avec 4 cœurs 1.7GHz et Qualcomm Snapdragon X Plus avec 10 cœurs 3.4GHz. Vous découvrirez quel processeur offre de meilleures performances dans les tests de référence, les spécifications clés, la consommation d'énergie et plus encore.

Différences Clés

Intel Processor N95 Avantages de
Consommation électrique inférieure (15W vs 23W)
Qualcomm Snapdragon X Plus Avantages de
Sorti avec un retard de 1 an(s) et 3 mois
Meilleures performances de la carte graphique
Spécification supérieure de mémoire (8448 vs 4800)
Bande passante mémoire plus élevée (135GB/s vs 38.4GB/s)
Version plus récente de PCIe (4.0 vs 3.0)
Taille de cache L3 plus grande (42MB vs 6MB)
Processus de fabrication plus moderne (4nm vs 10nm)

Score

Benchmark

Cinebench R23 Mono Coeur
Intel Processor N95
914
Qualcomm Snapdragon X Plus +62%
1488
Cinebench R23 Multi Coeurs
Intel Processor N95
2767
Qualcomm Snapdragon X Plus +331%
11931
Geekbench 6 Noyau Unique
Intel Processor N95
1201
Qualcomm Snapdragon X Plus +95%
2347
Geekbench 6 Multi Core
Intel Processor N95
2901
Qualcomm Snapdragon X Plus +347%
12973
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Processor N95
60
Qualcomm Snapdragon X Plus +81%
109
Cinebench 2024 Multi Core
Intel Processor N95
182
Qualcomm Snapdragon X Plus +364%
845
Blender
Intel Processor N95
36
Qualcomm Snapdragon X Plus +900%
360
Passmark CPU Mono Coeur
Intel Processor N95
1927
Qualcomm Snapdragon X Plus +66%
3208
Passmark CPU Multi Coeurs
Intel Processor N95
5341
Qualcomm Snapdragon X Plus +306%
21685

Paramètres généraux

janv. 2023
Date de sortie
avr. 2024
Intel
Fabricant
Qualcomm
Ordinateur portable
Type
Ordinateur portable
x86-64
Ensemble d'instructions
ARMv9
Alder Lake
Architecture de cœur
Snapdragon X
N95
Numéro de processeur
X1P-64-100
BGA-1264
Socket
Custom
UHD Graphics (16EU)
Graphiques intégrés
Qualcomm Adreno X1
-
Génération
Oryon

Paquet

10 nm
Processus de fabrication
4 nm
15 W
Consommation d'énergie
23 W
-
Consommation d'énergie Turbo max
80 W
105 °C
Température de fonctionnement maximale
-
Fonderie
Samsung TSMC
-
Taille du Die
mm²

Performance du CPU

-
Cœurs de performance
10
-
Threads de cœur de performance
10
-
Fréquence de base (P)
3.4 GHz
-
Fréquence Turbo du cœur de performance
3.4 GHz
4
Cœurs d'efficacité
-
4
Threads de cœur d'efficacité
-
1.7 GHz
Fréquence de base du cœur d'efficacité
-
3.4 GHz
Fréquence Turbo du cœur d'efficacité
-
4
Nombre total de cœurs
10
4
Nombre total de threads
10
100 MHz
Fréquence du bus
100 MHz
17
Multiplicateur
34x
96 K per core
Cache L1
-
2 MB shared
Cache L2
-
6 MB shared
Cache L3
42 MB
No
Multiplicateur déverrouillé
No
-
SMP
1

Paramètres de mémoire

DDR5-4800,DDR4-3200,LPDDR5-4800
Types de mémoire
LPDDR5X-8448
16 GB
Taille max de mémoire
64 GB
1
Canaux de mémoire max
8
38.4 GB/s
Bande passante max de mémoire
135 GB/s
No
Support de mémoire ECC
No

Paramètres de la carte graphique

true
Graphiques intégrés
true
350 MHz
Fréquence de base du GPU
500 MHz
1200 MHz
Fréquence maximale dynamique du GPU
1200 MHz
128
Unités de shader
1536
8
Unités de texture
48
4
Unités d'opération de tramage
6
16
Unités d'exécution
6
6-15
Consommation d'énergie
0.3 TFLOPS
Performance graphique
3.8 TFLOPS

Divers

3.0
Version PCIe
4.0
9
Voies PCIe
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