Accueil Comparaison Intel Core Ultra 7 258V vs Qualcomm Snapdragon X Elite

Intel Core Ultra 7 258V vs Qualcomm Snapdragon X Elite

Nous avons comparé deux CPU ordinateur portable : Intel Core Ultra 7 258V avec 8 cœurs 2.2GHz et Qualcomm Snapdragon X Elite avec 12 cœurs 3.8GHz. Vous découvrirez quel processeur offre de meilleures performances dans les tests de référence, les spécifications clés, la consommation d'énergie et plus encore.

Différences Clés

Intel Core Ultra 7 258V Avantages de
Sorti avec un retard de 11 mois
Spécification supérieure de mémoire (8533 vs 8448)
Bande passante mémoire plus élevée (136GB/s vs 135GB/s)
Version plus récente de PCIe (5.0 vs 4.0)
Processus de fabrication plus moderne (3nm vs 4nm)
Consommation électrique inférieure (37W vs 65W)
Qualcomm Snapdragon X Elite Avantages de
Meilleures performances de la carte graphique
Fréquence de base plus élevée (3.8GHz vs 2.2GHz)
Taille de cache L3 plus grande (42MB vs 12MB)

Score

Benchmark

Cinebench R23 Mono Coeur
Intel Core Ultra 7 258V +19%
1991
Qualcomm Snapdragon X Elite
1673
Cinebench R23 Multi Coeurs
Intel Core Ultra 7 258V
12310
Qualcomm Snapdragon X Elite +18%
14548
Geekbench 6 Noyau Unique
Intel Core Ultra 7 258V
2619
Qualcomm Snapdragon X Elite +13%
2980
Geekbench 6 Multi Core
Intel Core Ultra 7 258V
10510
Qualcomm Snapdragon X Elite +44%
15226
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core Ultra 7 258V
120
Qualcomm Snapdragon X Elite +10%
133
Cinebench 2024 Multi Core
Intel Core Ultra 7 258V
657
Qualcomm Snapdragon X Elite +85%
1220
Blender
Intel Core Ultra 7 258V
135
Qualcomm Snapdragon X Elite +248%
470

Paramètres généraux

sept. 2024
Date de sortie
oct. 2023
Intel
Fabricant
Qualcomm
Ordinateur portable
Type
Ordinateur portable
x86-64
Ensemble d'instructions
Arm-64
Lunar Lake
Architecture de cœur
Oryon
258V
Numéro de processeur
Snapdragon X Elite
FCBGA-2833
Socket
Arc Graphics 140V
Graphiques intégrés
Adreno
Ultra 7 (Lunar Lake)
Génération
Oryon

Paquet

3 nm
Processus de fabrication
4 nm
17-37 W
Consommation d'énergie
23-65 W
-
Consommation d'énergie Turbo max
80 W
100 °C
Température de fonctionnement maximale
TSMC
Fonderie
Samsung TSMC
-
Taille du Die
mm²

Performance du CPU

4
Cœurs de performance
12
4
Threads de cœur de performance
12
2.2 GHz
Fréquence de base (P)
3.8 GHz
4.8 GHz
Fréquence Turbo du cœur de performance
4.3 GHz
4
Cœurs d'efficacité
-
4
Threads de cœur d'efficacité
-
2.2 GHz
Fréquence de base du cœur d'efficacité
-
3.7 GHz
Fréquence Turbo du cœur d'efficacité
-
8
Nombre total de cœurs
12
8
Nombre total de threads
12
100 MHz
Fréquence du bus
100 MHz
22
Multiplicateur
48 KB per core
Cache L0
-
192 KB per core
Cache L1
-
14 MB
Cache L2
-
12 MB
Cache L3
42 MB
No
Multiplicateur déverrouillé
No
1
SMP
1

Paramètres de mémoire

LPDDR5X-8533
Types de mémoire
LPDDR5x-8448
32 GB
Taille max de mémoire
64 GB
2
Canaux de mémoire max
2
136 GB/s
Bande passante max de mémoire
135 GB/s
No
Support de mémoire ECC
No

Paramètres de la carte graphique

true
Graphiques intégrés
true
600 MHz
Fréquence de base du GPU
1950 MHz
Fréquence maximale dynamique du GPU
1024
Unités de shader
8
Unités d'exécution
3.99 TFLOPS
Performance graphique
4.6 TFLOPS

Accélérateur d'IA

Intel® AI Boost
NPU
-
47 TOPS
Performance théorique
-

Divers

5.0
Version PCIe
4.0
8
Voies PCIe
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