Startseite GPU-Vergleich NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB vs NVIDIA RTX A2000 Embedded

NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB vs NVIDIA RTX A2000 Embedded

Wir vergleichen zwei Professioneller Markt GPUs: Tesla V100 PCIe 16 GB mit 16GB VRAM und RTX A2000 Embedded mit 8GB VRAM . Sie erfahren, welche GPU in wichtigen Spezifikationen, Benchmark-Tests, Stromverbrauch und mehr die bessere Leistung bietet.

Hauptunterschiede

NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB Vorteil von
Mehr VRAM (16GB gegenüber 8GB)
Höhere VRAM-Bandbreite (897.0GB/s gegenüber 192.0GB/s)
2560 zusätzliche Render-Kerne
NVIDIA RTX A2000 Embedded Vorteil von
@if(System.Math.Min(Model.v1,Model.v2) > 0){ @($"{Model.title} wurde um { System.Math.Round( System.Math.Abs(Model.v1-Model.v2)*100 /System.Math.Min(Model.v1,Model.v2)) }% erhöht ({Model.v1}MHz gegenüber {Model.v2}MHz)" ) }else{ @($"{Model.title} {System.Math.Max(Model.v1,Model.v2)}MHz " ) }
Geringerer TDP (60W gegenüber 300W)

Punktzahl

Benchmark

FP32 Gleitkomma-Performance
Tesla V100 PCIe 16 GB +71%
14.13 TFLOPS
RTX A2000 Embedded
8.253 TFLOPS
OctaneBench
Tesla V100 PCIe 16 GB +53%
352
RTX A2000 Embedded
229
VS

Grafikkarte

Jun 2017
Veröffentlichungsdatum
Unbekannt
Tesla
Generation
Quadro Mobile
Professionelle
Typ
Professionelle
PCIe 3.0 x16
Bus-Schnittstelle
PCIe 4.0 x16

Taktraten

1245 MHz
Basis-Takt
1117 MHz
1380 MHz
Boost-Takt
1612 MHz
876 MHz
Speichertakt
1500 MHz

Speicher

16GB
Speichergröße
8GB
HBM2
Speichertyp
GDDR6
4096bit
Speicherbus
128bit
897.0GB/s
Bandbreite
192.0GB/s

Render-Konfiguration

80
SM-Anzahl
20
-
Einheiten berechnen
-
5120
Shading-Einheiten
2560
320
TMUs
80
128
ROPs
48
640
Tensor-Kerne
80
-
RT-Kerne
20
128 KB (per SM)
L1-Cache
128 KB (per SM)
6 MB
L2-Cache
2 MB

Theoretische Leistung

176.6 GPixel/s
Pixeltakt
77.38 GPixel/s
441.6 GTexel/s
Texture-Takt
129.0 GTexel/s
28.26 TFLOPS
FP16 (halbe Genauigkeit)
8.253 TFLOPS
14.13 TFLOPS
FP32 (Gleitkommazahl)
8.253 TFLOPS
7.066 TFLOPS
FP64 (Doppelte Gleitkommazahl)
129.0 GFLOPS

Grafikprozessor

GV100
GPU-Name
GA107S
-
GPU-Variante
-
Volta
Architektur
Ampere
TSMC
Foundry
Samsung
12 nm
Prozessgröße
8 nm
21100 million
Transistoren
Unbekannt
815 mm²
Die-Größe
Unbekannt

Board-Design

300W
TDP (Thermal Design Power)
60W
700 W
Empfohlene PSU (Stromversorgung)
-
No outputs
Ausgänge
No outputs
2x 8-pin
Stromanschlüsse
None

Grafikfunktionen

12 (12_1)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
7.0
CUDA
8.6
6.6
Shader-Modell
6.6

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