Startseite GPU-Vergleich NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 vs NVIDIA RTX A4500 Max-Q

NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 vs NVIDIA RTX A4500 Max-Q

Wir vergleichen zwei Professioneller Markt GPUs: Quadro T1000 Mobile GDDR6 mit 4GB VRAM und RTX A4500 Max Q mit 16GB VRAM . Sie erfahren, welche GPU in wichtigen Spezifikationen, Benchmark-Tests, Stromverbrauch und mehr die bessere Leistung bietet.

Hauptunterschiede

NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 Vorteil von
@if(System.Math.Min(Model.v1,Model.v2) > 0){ @($"{Model.title} wurde um { System.Math.Round( System.Math.Abs(Model.v1-Model.v2)*100 /System.Math.Min(Model.v1,Model.v2)) }% erhöht ({Model.v1}MHz gegenüber {Model.v2}MHz)" ) }else{ @($"{Model.title} {System.Math.Max(Model.v1,Model.v2)}MHz " ) }
Geringerer TDP (50W gegenüber 80W)
NVIDIA RTX A4500 Max-Q Vorteil von
1 Jahre und 9 Monate später veröffentlicht
Mehr VRAM (16GB gegenüber 4GB)
Höhere VRAM-Bandbreite (448.0GB/s gegenüber 192.0GB/s)
4992 zusätzliche Render-Kerne

Punktzahl

Benchmark

FP32 Gleitkomma-Performance
Quadro T1000 Mobile GDDR6
2.957 TFLOPS
RTX A4500 Max Q +383%
14.31 TFLOPS
VS

Grafikkarte

Jun 2020
Veröffentlichungsdatum
Mär 2022
Quadro Mobile
Generation
Quadro Ampere-M
Professionelle
Typ
Professionelle
PCIe 3.0 x16
Bus-Schnittstelle
PCIe 4.0 x16

Taktraten

1395 MHz
Basis-Takt
510 MHz
1650 MHz
Boost-Takt
1215 MHz
1500 MHz
Speichertakt
1750 MHz

Speicher

4GB
Speichergröße
16GB
GDDR6
Speichertyp
GDDR6
128bit
Speicherbus
256bit
192.0GB/s
Bandbreite
448.0GB/s

Render-Konfiguration

14
SM-Anzahl
46
-
Einheiten berechnen
-
896
Shading-Einheiten
5888
56
TMUs
184
32
ROPs
96
-
Tensor-Kerne
184
-
RT-Kerne
46
64 KB (per SM)
L1-Cache
128 KB (per SM)
1024 KB
L2-Cache
4 MB

Theoretische Leistung

52.80 GPixel/s
Pixeltakt
116.6 GPixel/s
92.40 GTexel/s
Texture-Takt
223.6 GTexel/s
5.914 TFLOPS
FP16 (halbe Genauigkeit)
14.31 TFLOPS
2.957 TFLOPS
FP32 (Gleitkommazahl)
14.31 TFLOPS
92.40 GFLOPS
FP64 (Doppelte Gleitkommazahl)
223.6 GFLOPS

Grafikprozessor

TU117B
GPU-Name
GA104
N19P-Q1-A1
GPU-Variante
-
Turing
Architektur
Ampere
TSMC
Foundry
Samsung
12 nm
Prozessgröße
8 nm
4700 million
Transistoren
17400 million
200 mm²
Die-Größe
392 mm²

Board-Design

50W
TDP (Thermal Design Power)
80W
-
Empfohlene PSU (Stromversorgung)
-
No outputs
Ausgänge
Portable Device Dependent
None
Stromanschlüsse
None

Grafikfunktionen

12 (12_1)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
7.5
CUDA
8.6
6.6
Shader-Modell
6.7

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