Qualcomm Snapdragon 835

这是一款采用了Samsung 10nm工艺的处理器，上市时间为2016年11月1日。采用了8核心设计，频率为2450MHz，TDP为9W，集成了Adreno 540核显。

处理器

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架构

4x 2.45 GHz – Kryo 280 (Cortex-A73)
4x 1.9 GHz – Kryo 280 (Cortex-A53)

主频

2450 MHz

核心数

8

指令集

ARMv8-A

1级缓存

2级缓存

2 MB

制程

10 nm

晶体管数

3

TDP功耗

9 W

制造厂

Samsung

显卡

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显卡型号

Adreno 540

主频

739 MHz

执行单元

1

着色单元

384

FLOPS

0.5675 TFLOPS

Vulkan 版本

1.0

OpenCL 版本

2.0

DirectX 版本

11

FLOPS

567.5 GFLOPS

内存

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内存类型

LPDDR4X

内存频率

1866 MHz

总线

2x 32 Bit

最大带宽

29.8 Gbit/s

多媒体

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神经网络处理器 (NPU)

Hexagon 682

存储类型

UFS 2.1

最大显示分辨率

3840 x 2160

最大相机分辨率

1x 32MP, 2x 16MP

视频拍摄

4K at 30FPS

视频播放

4K at 30FPS

视频编码

H.264, H.265, VP9

音频编码

AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

网络

[纠错]

4G网络

LTE Cat. 16

5G网络

No

下载速度

Up to 1000 Mbps

上传速度

Up to 150 Mbps

Wi-Fi

5

蓝牙

5.0

导航定位

GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS

其他信息

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发行日期

2016年11月

级别

Flagship

型号

MSM8998

官网链接

Qualcomm Snapdragon 835

排行榜

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安兔兔 10

Samsung Exynos 8895 8C @ 2314 MHz

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418

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MediaTek Helio G85 8C @ 2000 MHz

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415

Qualcomm Snapdragon 835 8C @ 2450 MHz

415

Qualcomm Snapdragon 680 8C @ 2400 MHz

414

Apple A8 C @

410

Geekbench 6 多核

Qualcomm Snapdragon 678 8C @ 2200 MHz

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Qualcomm Snapdragon 835 8C @ 2450 MHz

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Qualcomm Snapdragon 685 8C @ 2800 MHz

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FP32浮点性能

Qualcomm Snapdragon 835 8C @ 2450 MHz

567

HiSilicon Kirin 980 8C @ 2600 MHz

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486

Qualcomm Snapdragon 690 8C @ 2000 MHz

486

Unisoc T820 8C @ 2700 MHz

435

Qualcomm Snapdragon 835

处理器

显卡

内存

多媒体

网络

其他信息

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