Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 vs Intel Processor N95
我们比较了两个笔记本版CPU：12核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 与 4核 1.7GHz Intel Processor N95 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 的优势
发布时间晚9个月
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 4800)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 38.4GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 与 3.0)
更大的三级缓存 (42MB 与 6MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
Intel Processor N95 的优势
更低的TDP功耗 (15W 与 35W)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+87%
1712
Intel Processor N95
914
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+372%
13062
Intel Processor N95
2767
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+132%
2790
Intel Processor N95
1201
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+403%
14595
Intel Processor N95
2901
Cinebench 2024 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+105%
123
Intel Processor N95
60
Cinebench 2024 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+409%
928
Intel Processor N95
182
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+72%
3318
Intel Processor N95
1927
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+340%
23519
Intel Processor N95
5341
基本参数
2023年10月
发行日期
2023年01月
Qualcomm
厂商
Intel
笔记本
类型
笔记本
ARMv8
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Alder Lake
X1E-80-100
处理器编号
N95
Custom
插槽
BGA-1264
Qualcomm Adreno X1-85
核芯显卡
UHD Graphics (16EU)
封装
4 nm
制程
10 nm
35 W
功耗
15 W
45 W
最大睿频功耗
-
-
峰值工作温度
105 °C
CPU性能
12
性能核
-
12
性能核线程
-
3.4 GHz
性能核基础频率
-
4 GHz
性能核睿频
-
-
能效核
4
-
能效核线程
4
-
能效核基础频率
1.7 GHz
-
能效核睿频
3.4 GHz
12
总核心数
4
12
总线程数
4
-
总线频率
100 MHz
34
倍频
17
96 K per core
一级缓存
96 K per core
12 MB shared
二级缓存
2 MB shared
42 MB
三级缓存
6 MB shared
否
非锁频
否
内存参数
LPDDR5x-8448
内存类型
DDR5-4800,DDR4-3200,LPDDR5-4800
64 GB
最大内存大小
16 GB
8
最大内存通道数
1
135 GB/s
最大内存带宽
38.4 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
300 MHz
显卡基本频率
350 MHz
1250 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
1536
着色器数量
128
96
纹理单元
8
48
光栅处理单元
4
6
执行单元
16
80
功耗
6-15
3.7 TFLOPS
显卡性能
0.3 TFLOPS
AI加速
Qualcomm Hexagon NPU
NPU
-
45 TOPS
理论性能
-
