Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 vs Apple M4 Max 16 Core
我们比较了两个笔记本版CPU：12核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 与 16核 4.52GHz Apple M4 Max 16 Core 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 的优势
更低的TDP功耗 (35W 与 70W)
Apple M4 Max 16 Core 的优势
发布时间晚1年
更强的显卡性能
更高规格的内存(8533 与 8448)
更大的最大内存带宽 (546GB/s 与 135GB/s)
更高的性能核基础频率 (4.52GHz 与 3.4GHz)
更先进的制程 (3nm 与 4nm)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
1712
Apple M4 Max 16 Core
+33%
2281
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
13062
Apple M4 Max 16 Core
+109%
27392
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
2790
Apple M4 Max 16 Core
+42%
3984
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
14595
Apple M4 Max 16 Core
+79%
26185
Cinebench 2024 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
123
Apple M4 Max 16 Core
+52%
187
Cinebench 2024 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
928
Apple M4 Max 16 Core
+120%
2045
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
3318
Apple M4 Max 16 Core
+36%
4534
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
23519
Apple M4 Max 16 Core
+85%
43708
基本参数
2023年10月
发行日期
2024年10月
Qualcomm
厂商
Apple
笔记本
类型
笔记本
ARMv8
指令集
ARMv9
Snapdragon X
内核架构
Apple M4
X1E-80-100
处理器编号
-
Custom
插槽
Apple M-Socket
Qualcomm Adreno X1-85
核芯显卡
Apple M4 Max GPU (40-core)
封装
4 nm
制程
3 nm
35 W
功耗
70 W
45 W
最大睿频功耗
-
-
峰值工作温度
100 °C
CPU性能
12
性能核
12
12
性能核线程
12
3.4 GHz
性能核基础频率
4.52 GHz
4 GHz
性能核睿频
-
-
能效核
4
-
能效核线程
4
-
能效核基础频率
2.59 GHz
12
总核心数
16
12
总线程数
16
34
倍频
45
96 K per core
一级缓存
-
12 MB shared
二级缓存
-
42 MB
三级缓存
-
否
非锁频
否
内存参数
LPDDR5x-8448
内存类型
LPDDR5X-8533
64 GB
最大内存大小
-
8
最大内存通道数
-
135 GB/s
最大内存带宽
546 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
300 MHz
显卡基本频率
500 MHz
1250 MHz
显卡最大动态频率
1800 MHz
1536
着色器数量
5120
96
纹理单元
320
48
光栅处理单元
160
6
执行单元
640
80
功耗
62
3.7 TFLOPS
显卡性能
18.4 TFLOPS
AI加速
Qualcomm Hexagon NPU
NPU
-
45 TOPS
理论性能
-
