Intel Processor N200 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

VS

Intel Processor N200 Qualcomm Snapdragon X Plus

我们比较了两个笔记本版CPU：4核 1.8GHz Intel Processor N200 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Intel Processor N200 的优势

更低的TDP功耗 (6W 与 23W)

Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势

发布时间晚1年3个月

更强的显卡性能

更高规格的内存(LPDDR5X-8448 与 DDR5-4800)

更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 38.4GB/s)

更新的PCI Express 版本 (4.0 与 3.0)

更大的三级缓存 (42MB 与 6MB)

评分

基准测试

Geekbench 6 单核

Intel Processor N200

1262

Qualcomm Snapdragon X Plus +91%

2418

Geekbench 6 多核

Intel Processor N200

2701

Qualcomm Snapdragon X Plus +386%

13147

Intel Processor N200

VS

Qualcomm Snapdragon X Plus

基本参数

2023年01月

发行日期

2024年04月

Intel

厂商

Qualcomm

笔记本

类型

笔记本

x86-64

指令集

ARMv9

Alder Lake

内核架构

Snapdragon X

N200

处理器编号

X1E-84-100

BGA-1264

插槽

Custom

UHD Graphics (32 EU)

核芯显卡

Qualcomm Adreno

-

世代

Oryon

封装

10 nm

制程

4 nm

BGA-1264

插槽

Custom

6 W

功耗

23 W

-

最大睿频功耗

80 W

105°C

峰值工作温度

-

晶圆厂

Samsung TSMC

-

晶圆尺寸

mm²

-

封装

CPU性能

-

性能核

10

-

性能核线程

10

性能核基础频率

3.4 GHz

-

性能核睿频

3.4 GHz

4

能效核

-

4

能效核线程

-

1.8 GHz

能效核基础频率

-

3.7 GHz

能效核睿频

-

4

总核心数

10

4

总线程数

10

100 MHz

总线频率

100 MHz

37x

倍频

34x

96 K per core

一级缓存

-

2 MB shared

二级缓存

-

6 MB shared

三级缓存

42 MB

否

非锁频

否

-

对称多处理

1

内存参数

DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-4800

内存类型

LPDDR5X-8448

16 GB

最大内存大小

64 GB

1

最大内存通道数

8

38.4 GB/s

最大内存带宽

135 GB/s

否

支持 ECC 内存

否

显卡参数

是

核显芯片

是

300 MHz

显卡基本频率

750 MHz

显卡最大动态频率

256

着色器数量

16

纹理单元

8

光栅处理单元

32

执行单元

45 W

功耗

0.74 TFLOPS

显卡性能

3.8 TFLOPS

其他

Intel Processor N200

官网链接

Qualcomm Snapdragon X Plus

3.0

PCIe版本

4.0

9

PCIe通道数

Intel Processor N200 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

主要差异

评分

基准测试

基本参数

封装

CPU性能

内存参数

显卡参数

其他

相关对比