Intel Processor N150 vs Qualcomm Snapdragon X Plus
我们比较了两个笔记本版CPU：4核 0.1GHz Intel Processor N150 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Intel Processor N150 的优势
发布时间晚7个月
更低的TDP功耗 (6W 与 23W)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 4800)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 38.4GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 与 3)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 0.1GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 6MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
评分
基准测试
Geekbench 6 单核
Intel Processor N150
1052
Qualcomm Snapdragon X Plus
+123%
2347
Geekbench 6 多核
Intel Processor N150
3033
Qualcomm Snapdragon X Plus
+327%
12973
基本参数
2024年11月
发行日期
2024年04月
Intel
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
x86-64
指令集
ARMv9
Twin Lake
内核架构
Snapdragon X
N150
处理器编号
X1P-64-100
Intel BGA 1264
插槽
Custom
UHD Graphics 730
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
Intel Processor (Alder Lake-N)
世代
Oryon
封装
10 nm
制程
4 nm
6 W
功耗
23 W
-
最大睿频功耗
80 W
105°C
峰值工作温度
Intel
晶圆厂
Samsung TSMC
-
晶圆尺寸
mm²
CPU性能
-
性能核
10
-
性能核线程
10
0.1 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
3.6 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
4
能效核
-
4
能效核线程
-
0.8 GHz
能效核基础频率
-
3.6 GHz
能效核睿频
-
4
总核心数
10
4
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
1.0
倍频
34x
96 KB per core
一级缓存
-
2 MB shared
二级缓存
-
6 MB shared
三级缓存
42 MB
否
非锁频
否
1
对称多处理
1
内存参数
DDR4-3200, DDR5, LPDDR5-4800
内存类型
LPDDR5X-8448
16 GB
最大内存大小
64 GB
最大内存通道数
8
38.4 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
-
显卡基本频率
500 MHz
1000 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
256
着色器数量
1536
16
纹理单元
48
8
光栅处理单元
6
24
执行单元
6
0.3 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS
