Intel Processor N100 vs Qualcomm Snapdragon X Elite

VS

Intel Processor N100 Qualcomm Snapdragon X Elite

我们比较了两个笔记本版CPU：4核 1.8GHz Intel Processor N100 与 12核 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Intel Processor N100 的优势

更低的TDP功耗 (6W 与 23W)

Qualcomm Snapdragon X Elite 的优势

发布时间晚9个月

更强的显卡性能

更高规格的内存(LPDDR5x-8448 与 DDR5-4800)

更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 38.4GB/s)

更新的PCI Express 版本 (4.0 与 3.0)

更大的三级缓存 (42MB 与 6MB)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核

Intel Processor N100

939

Qualcomm Snapdragon X Elite +78%

1673

Cinebench R23 多核

Intel Processor N100

2965

Qualcomm Snapdragon X Elite +390%

14548

Geekbench 6 单核

Intel Processor N100

1204

Qualcomm Snapdragon X Elite +147%

2980

Geekbench 6 多核

Intel Processor N100

2314

Qualcomm Snapdragon X Elite +557%

15226

Blender

Intel Processor N100

44

Qualcomm Snapdragon X Elite +968%

470

Intel Processor N100

VS

Qualcomm Snapdragon X Elite

基本参数

2023年01月

发行日期

2023年10月

Intel

厂商

Qualcomm

笔记本

类型

笔记本

x86-64

指令集

Arm-64

Alder Lake

内核架构

Oryon

N100

处理器编号

Snapdragon X Elite

BGA-1264

插槽

UHD Graphics (24 EU)

核芯显卡

Adreno

-

世代

Oryon

封装

10 nm

制程

4 nm

BGA-1264

插槽

6 W

功耗

23 W

-

最大睿频功耗

80 W

105°C

峰值工作温度

-

晶圆厂

Samsung TSMC

-

晶圆尺寸

mm²

-

封装

CPU性能

-

性能核

12

-

性能核线程

12

性能核基础频率

3.8 GHz

-

性能核睿频

4.3 GHz

4

能效核

-

4

能效核线程

-

1.8 GHz

能效核基础频率

-

3.2 GHz

能效核睿频

-

4

总核心数

12

4

总线程数

12

100 MHz

总线频率

100 MHz

34x

倍频

96 K per core

一级缓存

-

2 MB shared

二级缓存

-

6 MB shared

三级缓存

42 MB

否

非锁频

否

-

对称多处理

1

内存参数

DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-4800

内存类型

LPDDR5x-8448

16 GB

最大内存大小

64 GB

1

最大内存通道数

2

38.4 GB/s

最大内存带宽

135 GB/s

否

支持 ECC 内存

否

显卡参数

是

核显芯片

是

-

显卡基本频率

750 MHz

显卡最大动态频率

256

着色器数量

16

纹理单元

8

光栅处理单元

24

执行单元

10 W

功耗

0.3 TFLOPS

显卡性能

4.6 TFLOPS

其他

Intel Processor N100

官网链接

Qualcomm Snapdragon X Elite

3.0

PCIe版本

4.0

9

PCIe通道数

Intel Processor N100 vs Qualcomm Snapdragon X Elite

主要差异

评分

基准测试

基本参数

封装

CPU性能

内存参数

显卡参数

其他

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