Intel Core 5 210H vs Qualcomm Snapdragon X Plus
我们比较了两个笔记本版CPU：8核 2.2GHz Intel Core 5 210H 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Intel Core 5 210H 的优势
发布时间晚8个月
更新的PCI Express 版本 (5.0 与 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 5200)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 83.2GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.2GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 12MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 45W)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Intel Core 5 210H
+13%
1684
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 多核
Intel Core 5 210H
+8%
12891
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 单核
Intel Core 5 210H
2182
Qualcomm Snapdragon X Plus
+7%
2347
Geekbench 6 多核
Intel Core 5 210H
9994
Qualcomm Snapdragon X Plus
+29%
12973
Cinebench 2024 单核
Intel Core 5 210H
97
Qualcomm Snapdragon X Plus
+12%
109
Cinebench 2024 多核
Intel Core 5 210H
509
Qualcomm Snapdragon X Plus
+66%
845
Passmark CPU 单核
Intel Core 5 210H
+20%
3862
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU 多核
Intel Core 5 210H
18321
Qualcomm Snapdragon X Plus
+18%
21685
基本参数
2024年12月
发行日期
2024年04月
Intel
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
x86-64
指令集
ARMv9
Raptor Lake
内核架构
Snapdragon X
210H
处理器编号
X1P-64-100
BGA-1744
插槽
Custom
UHD Graphics Xe G4 (48EU)
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
Core 5(Raptor Lake-H Refresh)
世代
Oryon
封装
10 nm
制程
4 nm
35 W
功耗
23 W
115 W
最大睿频功耗
80 W
100 °C
峰值工作温度
Intel
晶圆厂
Samsung TSMC
-
晶圆尺寸
mm²
CPU性能
4
性能核
10
8
性能核线程
10
2.2 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
4.8 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
4
能效核
-
4
能效核线程
-
1.6 GHz
能效核基础频率
-
3.6 GHz
能效核睿频
-
8
总核心数
10
12
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
22
倍频
34x
80 K per core
一级缓存
-
2 MB per core
二级缓存
-
12 MB shared
三级缓存
42 MB
否
非锁频
否
1
对称多处理
1
内存参数
DDR5-5200,DDR4-3200,LPDDR5-5200,LPDDR5x-5200,LPDDR4x-4267
内存类型
LPDDR5X-8448
96 GB
最大内存大小
64 GB
2
最大内存通道数
8
83.2 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
400 MHz
显卡基本频率
500 MHz
1400 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
384
着色器数量
1536
24
纹理单元
48
12
光栅处理单元
6
48
执行单元
6
15
功耗
1.08 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS
