Startseite GPU-Vergleich NVIDIA RTX A500 Embedded vs Intel Data Center GPU Max Subsystem

NVIDIA RTX A500 Embedded vs Intel Data Center GPU Max Subsystem

Wir vergleichen zwei Professioneller Markt GPUs: RTX A500 Embedded mit 4GB VRAM und Data Center GPU Max Subsystem mit 128GB VRAM . Sie erfahren, welche GPU in wichtigen Spezifikationen, Benchmark-Tests, Stromverbrauch und mehr die bessere Leistung bietet.

Hauptunterschiede

NVIDIA RTX A500 Embedded Vorteil von
Geringerer TDP (20W gegenüber 2400W)
Intel Data Center GPU Max Subsystem Vorteil von
10 Monate später veröffentlicht
@if(System.Math.Min(Model.v1,Model.v2) > 0){ @($"{Model.title} wurde um { System.Math.Round( System.Math.Abs(Model.v1-Model.v2)*100 /System.Math.Min(Model.v1,Model.v2)) }% erhöht ({Model.v1}MHz gegenüber {Model.v2}MHz)" ) }else{ @($"{Model.title} {System.Math.Max(Model.v1,Model.v2)}MHz " ) }
Mehr VRAM (128GB gegenüber 4GB)
Höhere VRAM-Bandbreite (3205GB/s gegenüber 96.00GB/s)
14336 zusätzliche Render-Kerne

Punktzahl

Benchmark

FP32 Gleitkomma-Performance
RTX A500 Embedded
5.468 TFLOPS
Data Center GPU Max Subsystem +858%
52.43 TFLOPS
VS

Grafikkarte

Mär 2022
Veröffentlichungsdatum
Jan 2023
Quadro Ampere-M
Generation
Data Center GPU
Professionelle
Typ
Professionelle
PCIe 4.0 x8
Bus-Schnittstelle
PCIe 5.0 x16

Taktraten

435 MHz
Basis-Takt
900 MHz
1335 MHz
Boost-Takt
1600 MHz
1500 MHz
Speichertakt
1565 MHz

Speicher

4GB
Speichergröße
128GB
GDDR6
Speichertyp
HBM2e
64bit
Speicherbus
8192bit
96.00GB/s
Bandbreite
3205GB/s

Render-Konfiguration

16
SM-Anzahl
-
-
Einheiten berechnen
-
2048
Shading-Einheiten
16384
64
TMUs
1024
32
ROPs
0
64
Tensor-Kerne
1024
16
RT-Kerne
128
128 KB (per SM)
L1-Cache
64 KB (per EU)
2 MB
L2-Cache
408 MB

Theoretische Leistung

42.72 GPixel/s
Pixeltakt
0 MPixel/s
85.44 GTexel/s
Texture-Takt
1638 GTexel/s
5.468 TFLOPS
FP16 (halbe Genauigkeit)
52.43 TFLOPS
5.468 TFLOPS
FP32 (Gleitkommazahl)
52.43 TFLOPS
85.44 GFLOPS
FP64 (Doppelte Gleitkommazahl)
52.43 TFLOPS

Grafikprozessor

GA107S
GPU-Name
Ponte Vecchio
-
GPU-Variante
-
Ampere
Architektur
Generation 12.5
Samsung
Foundry
Intel
8 nm
Prozessgröße
10 nm
8700 million
Transistoren
100000 million
200 mm²
Die-Größe
1280 mm²

Board-Design

20W
TDP (Thermal Design Power)
2400W
-
Empfohlene PSU (Stromversorgung)
2800 W
Portable Device Dependent
Ausgänge
No outputs
None
Stromanschlüsse
1x 16-pin

Grafikfunktionen

12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 (12_1)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
N/A
8.6
CUDA
-
6.7
Shader-Modell
6.6

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