Startseite GPU-Vergleich NVIDIA GeForce RTX 3050 Max-Q Refresh 6 GB vs AMD Radeon E9550 MXM

NVIDIA GeForce RTX 3050 Max-Q Refresh 6 GB vs AMD Radeon E9550 MXM

Wir vergleichen zwei Mobile Plattform GPUs: GeForce RTX 3050 Max Q Refresh 6 GB mit 6GB VRAM und Radeon E9550 MXM mit 8GB VRAM . Sie erfahren, welche GPU in wichtigen Spezifikationen, Benchmark-Tests, Stromverbrauch und mehr die bessere Leistung bietet.

Hauptunterschiede

NVIDIA GeForce RTX 3050 Max-Q Refresh 6 GB Vorteil von
5 Jahre und 10 Monate später veröffentlicht
Geringerer TDP (35W gegenüber 95W)
AMD Radeon E9550 MXM Vorteil von
@if(System.Math.Min(Model.v1,Model.v2) > 0){ @($"{Model.title} wurde um { System.Math.Round( System.Math.Abs(Model.v1-Model.v2)*100 /System.Math.Min(Model.v1,Model.v2)) }% erhöht ({Model.v1}MHz gegenüber {Model.v2}MHz)" ) }else{ @($"{Model.title} {System.Math.Max(Model.v1,Model.v2)}MHz " ) }
Mehr VRAM (8GB gegenüber 6GB)
Höhere VRAM-Bandbreite (160.0GB/s gegenüber 144.0GB/s)
256 zusätzliche Render-Kerne

Punktzahl

Benchmark

FP32 Gleitkomma-Performance
GeForce RTX 3050 Max Q Refresh 6 GB
4.055 TFLOPS
Radeon E9550 MXM +43%
5.834 TFLOPS
VS

Grafikkarte

Jul 2022
Veröffentlichungsdatum
Sep 2016
GeForce 30 Mobile
Generation
Embedded
Notebook
Typ
Notebook
PCIe 4.0 x8
Bus-Schnittstelle
MXM-B (3.0)

Taktraten

622 MHz
Basis-Takt
1120 MHz
990 MHz
Boost-Takt
1266 MHz
1500 MHz
Speichertakt
1250 MHz

Speicher

6GB
Speichergröße
8GB
GDDR6
Speichertyp
GDDR5
96bit
Speicherbus
256bit
144.0GB/s
Bandbreite
160.0GB/s

Render-Konfiguration

16
SM-Anzahl
-
-
Einheiten berechnen
36
2048
Shading-Einheiten
2304
64
TMUs
144
32
ROPs
32
64
Tensor-Kerne
-
16
RT-Kerne
-
128 KB (per SM)
L1-Cache
16 KB (per CU)
2 MB
L2-Cache
2 MB

Theoretische Leistung

31.68 GPixel/s
Pixeltakt
40.51 GPixel/s
63.36 GTexel/s
Texture-Takt
182.3 GTexel/s
4.055 TFLOPS
FP16 (halbe Genauigkeit)
5.834 TFLOPS
4.055 TFLOPS
FP32 (Gleitkommazahl)
5.834 TFLOPS
63.36 GFLOPS
FP64 (Doppelte Gleitkommazahl)
364.6 GFLOPS

Grafikprozessor

GA107
GPU-Name
Ellesmere
-
GPU-Variante
Ellesmere XT
Ampere
Architektur
GCN 4.0
Samsung
Foundry
GlobalFoundries
8 nm
Prozessgröße
14 nm
8700 million
Transistoren
5700 million
200 mm²
Die-Größe
232 mm²

Board-Design

35W
TDP (Thermal Design Power)
95W
-
Empfohlene PSU (Stromversorgung)
-
Portable Device Dependent
Ausgänge
1x HDMI 2.0b 3x DisplayPort 1.4a
None
Stromanschlüsse
None

Grafikfunktionen

12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 (12_0)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
2.1
1.3
Vulkan
1.2
8.6
CUDA
-
6.7
Shader-Modell
6.4

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