インテルの18Aプロセスは、ハイテク業界で今注目の話題です。半導体業界ではTSMCの優位性が際立っていますが、インテルの進展も見逃せません。経験豊富な企業の観察者たちは18Aがもたらす潜在的なブレークスルーを理解しています。過去6ヶ月間、NVIDIA、Broadcom、Faraday Technology、および複数のASIC顧客が大きな関心を示しています。最近のサプライチェーンの更新により、高度な1.8ナノメートルプロセスのブレークスルーが浮き彫りとなり、チップサンプリングの結果が業界の注目を集めています。インテルは、18Aプロセスでファウンドリーサービスを再活性化する準備が整ったようです。

今後数年で、インテルはプロセス技術に追いつくことを目指して「4年5ノード」戦略を野心的に立ち上げましたが、市場からの反応は鈍く、ファウンドリー事業は苦戦を強いられていました。しかし、18Aプロセスの導入は状況を一変させました。インテルは、モバイルデバイス用のPanther Lakeプロセッサやサーバー用のClearwater Forestチップを含む初期製品で、2025年後半に18Aプロセスの量産を開始する予定です。これらのチップは昨年の時点で、オペレーティングシステムへの電源供給とスムーズな動作に成功していました。さらに、インテルは外部顧客向けの最初のチップ設計が2025年半ばまでに製造開始の予定であることも発表しています。

18Aプロセスの著しい特徴は、RibbonFETとPowerViaという二つの先駆的な技術を統合している点です。ゲートオールラウンドトランジスタであるRibbonFETは、ナノシート構造により電流制御を強化し、トランジスタサイズを小型化し、漏れ電流を最小限に抑えることで高密度チップのエネルギー効率を向上させます。PowerViaは、電源ラインをウエハ後部に移すことで信号配線の余地を広げ、抵抗を低減します。このアーキテクチャの革新によって、密度は5%から10%向上し、性能は最大4%の向上を遂げます。インテルの「3プロセス」と比較すると、18Aはトランジスタ密度が約30%向上し、電力性能比も15%の向上を示しています。そのSRAM密度はTSMCの2nm N2プロセスに匹敵し、電力性能バランスでもわずかに優れています。

18Aへの外部クライアントからの関心も高まっています。NVIDIAとBroadcomは、このプロセスで作成されたASICサンプルの評価に積極的で、初期結果は有望な見通しを示しています。SmartPlanetのようなASICプロバイダーは、初期のサンプルを受け取り、肯定的なフィードバックを報告しています。さらに、IBMやArmとの共同開発も進行中で、18Aプロセスが業界標準に適合していることを保証しています。アナリストは大手プレイヤーであるNVIDIAなどがサプライチェーンの多様化とTSMCへの依存削減に熱心であると指摘しています。戦略的な代替案を提供するファウンドリ工場は、AIチップの需要拡大の中で特に18Aプロセスのパフォーマンスとサプライチェーンの利点が際立っています。

インテルは、コンピューティングモジュールの70%が18Aプロセスを利用することを目指しています。しかし、生産制約や歩留まりの懸念から、一部のハイエンド製品、例えば次世代Nova Lakeデスクトッププロセッサは、一部TSMCの2nmプロセスでアウトソースされる可能性があります。それでもなお、インテルは18Aに対して強気の姿勢を崩さず、CEOのリップ・ブー・タンは、2025年末までに大量生産がピークに達し、更に多くのプレミアム顧客を惹きつける可能性があると述べています。

過去のハードルを振り返ると、18Aの量産への道は決して平坦ではありませんでした。過去の報告によれば、RibbonFETとPowerViaの複雑さが主に理由で、必要な70%以上の基準とは程遠い、わずか20%から30%の歩留まりしか実現できていませんでした。それにもかかわらず、インテルはPanther Lakeの生産量がMeteor Lakeの同時期の指標を超えていると主張し、量産のタイムラインを維持しています。市場アナリストのガートナーによれば、TSMCは2024年までに世界のAIチップファウンドリ市場の68%を占める一方、インテルは5%にとどまると見られています。競争優位性を確保するためには、18Aの歩留まりと性能が期待に応えることが重要です。

2025年のVLSIシンポジウムで、インテルは18Aの能力を披露し、1.1Vの電圧でプロセスのARMコアが性能を25%向上させ、消費電力を36%削減することを実証する予定です。低0.75Vでも性能は18%向上し、消費電力は38%削減されます。「Intel 3」と比較して、18Aプロセスは面積を0.72倍に縮小し、トランジスタ密度を高め、クライアントやデータセンター分野での競争力をアピールしています。

TSMCのN2プロセスと比較すると、インテルの18Aは明確な優位性を持ちます。TSMCのN2は、18Aの238 MTr/mm2に対して313 MTr/mm2の高密度標準セルトランジスタ密度ではリードしていますが、SRAMセルサイズはより小さく（0.0175 μm2対0.021 μm2）されています。しかし、18AはPowerViaのおかげで性能と電力効率の分野で優れています。TSMCは2025年末までにN2の量産を予定しており、2026年半ばに18Aをわずかに上回る消費者向けリリースを予定しています。サムスンの2nmプロセス（SF2）も2025年の量産に設定されていますが、現在約40%の歩留まりで、その市場力は未実証です。

インテルの18Aイニシアチブは、ファウンドリー事業の再生において重要な役割を果たします。Panther LakeとClearwater Forestが量産に近づき、NVIDIAやBroadcomからの積極的な顧客参画と相まって、18Aはインテルに新しい市場領域を切り開く期待がかかっています。これからの数年間で、インテルは性能と密度の向上を目指して14Aプロセスを導入し、TSMCの市場リードに挑戦する準備を整えています。半導体の覇権争いの中で、ハイテク愛好家たちは18Aにおけるインテルのチャレンジが業界標準を再定義するのか見守っています。